Laser bán dẫn được phát minh vào năm 1962 và đạt được hoạt động sóng liên tục với cấu trúc dị thể kép vào năm 1970, trở thành nguồn sáng cốt lõi cho truyền thông quang học. Hệ thống InGaAsP/InP hỗ trợ băng tần truyền thông tổn thất thấp 1300/1550 nm và MOCVD đã trở thành công nghệ chế tạo chủ đạo.
Laser bán dẫnbao gồm một phương tiện khuếch đại và một bộ cộng hưởng Fabry–Perot. Sự đảo ngược dân số được thực hiện bằng cách tiêm chất mang và tia laser được tạo ra bằng phát xạ kích thích. Khoảng cách chế độ dọc được xác định bởi chiều dài khoang và khóa chế độ yêu cầu đồng bộ hóa pha của nhiều chế độ dọc
Sơ đồ laser diện rộng
Một số thiết kế laser sử dụng hệ thống vật liệu InGaAsP/InP.
Hệ thống vật liệu InGaAsP/InP được áp dụng cho băng tần truyền thông, bao phủ 1300–1600 nm. Sự tăng trưởng epiticular MOCVD đạt được sự kết hợp mạng tinh thể có độ chính xác cao, đây là sơ đồ chế tạo cốt lõi cho laser thương mại.
Dòng ngưỡng tăng theo cấp số nhân theo nhiệt độ và nhiệt độ đặc trưng T₀ phản ánh sự ổn định nhiệt độ. Điều chế tốc độ cao dựa trên cấu trúc dẫn hướng chỉ số mạnh và điện dung thấp.
Laser bán dẫn có kích thước nhỏ và độ tin cậy cao, đóng vai trò là nguồn sáng cốt lõi cho truyền thông quang học, nguồn bơm, in ấn và cảm biến, hỗ trợ thu nhỏ và tích hợp các hệ thống khóa chế độ cực nhanh.
